Transistore fotosensibile ad effetto campo

Transistor ad effetto fotocampo (PD-MOS), compresi fotodiodi, fototransistor e diodi valanghe. Sensori fotoelettrici ampiamente applicabili. La gamma di risposta spettrale varia dalla luce visibile al vicino infrarosso. Adottando il processo di produzione CMOS 180nm. Ha le caratteristiche di basso rumore, alto guadagno e ampia risposta dinamica.

caratteristica:

Basso rumore, alto guadagno, alta reattività e ampia risposta dinamica.

Applicazione:

Rilevamento della luce, misurazione dell'illuminamento, rappresentazione della luce debole, misurazione spettrale.