此系列的电容表参数如下所示：

Display di Capacitanza
Gamma di capacità da 0 a 2000 pF
Intervali di scala completa 2, 20, 200, 2000 pF
Accuratezza 0,25% della lettura
+0,2% di scala completa +0,005 pF
Risoluzione 0,001 pF da 0 a 2 pF
0,01 pF da 2 a 20 pF
0,1 pF da 20 a 200 pF
1 pF sopra 200 pF
Display conduttività
Gamma di conduttività da 0 a 2000 μS
Intervali di scala completa 2, 20, 200, 2000 μS
Precisione
2,5% di lettura +2,0% di scala completa +0,05 μS + 2 (ωC)2
dove C è la capacità parallela in Farad
Resistenza della serie residua massima 2Ω
Risoluzione 0,01 μS da 0 a 2 μS
0,1 μS da 2 a 20 μS
1 μS da 20 a 200 μS
10 μS sopra 200 μS
Parametri calcolati
Capacità della serie da 0,000 a ±9999 pF
Resistenza della serie da 0,00 Ω a ±9,999 MΩ
Resistenza parallela ±488,5 Ω a ±9,999 MΩ
Dissipazione da 0,000 a ±999,9
Fattore di qualità da 0,000 a ±999,9
ΔC da 0,000 a ±4047 pF
Δ% da 0,00 a ±99,99%
Influenze della temperatura
Temperatura di funzionamento da 10° C a 40° C
Errore di amplitudine <± 0,017% /° C
Errore di fase <± 0,2° / ° C
Tempo di riscaldamento 2 ore
Segnale di prova
Frequenza 1,0 MHz, controllato da cristalli
Livello programmabile
15, 30, 50 e 100 mV
Bias esterno
Gamma di tensione ±60 V
Corrente massima 62,5 mA protetta dal fusibile

Visualizzazione esterna di bias
Gamma di tensione ±60 V
Risoluzione 0,1 V
Accuratezza 0,25% di rdg + 4 conteggi
Bias Interno
Gamma di tensione ±60 volt, programmabile da
il pannello anteriore
Accuratezza 0,5% di impostazione + 10 conteggi
Risoluzione 1 mV per tensioni ≤ 20 V
10 mV per tensioni > 20 V
Corrente massima 5 mA