Attraverso il diagramma schematico, si può scoprire che ALD non è un processo continuo, ma è composto da diverse sequenze di semireazione. Nella prima fase, il precursore subisce una reazione chimica di adsorbimento A sulla superficie del substrato. Nella terza fase, i reagenti continuano a subire una reazione chimica superficiale B con il substrato che ha già adsorbito il precursore. Nei passaggi due e quattro, gas inerte viene utilizzato per rimuovere il gas in eccesso e i sottoprodotti dalla camera di reazione. A. Le due reazioni e mezzo di B hanno le caratteristiche di auto-limitazione e complementarità, e lo spessore del film è determinato dai quattro passaggi ciclici in sequenza.

• Capacità di produzione su larga scala